Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Fig. 1 shows typical bipolar resistive switching characteristics of the Pt/HfOx/TiN device with 10 voltage sweeps from 0 to 2V for set and 0 to −2.5V for reset, respectively. A 100 µA current compliance was applied to protect the device during the set process. We will utilize the gradual reset process for analog weight tuning. Fig. 2 shows our optimization flow of the programing protocol. It is expected...
An emerging application for the oxide based resistive random access memory (RRAM) technology is to serve as the synaptic device for the hardware implementation of neuromorphic computing. The gradual resistance modulation capability in RRAM is proposed for emulating analog synapses, and the stochastic switching behavior in RRAM is proposed for emulating binary synapses. In order to evaluate the effectiveness...
Using the model developed in Part I of this two-part paper, the simulated dc sweep and pulse transient characteristics of a metal oxide resistive random access memory cell are corroborated with the experimental data of memory. Key switching features such as the abrupt SET process, gradual RESET process, current fluctuation in the RESET process, and multilevel resistance state distributions...
HfOx/AlOx bi-layer RRAM devices were fabricated with the atomic layer deposition (ALD) method. Compared with the single-layer HfOx devices, the bi-layer devices showed less variation of the switching voltages and resistances. Inspired by the fact that varying reset stop voltage in a DC sweep can achieve multilevel high resistance state, two equivalent pulse programming schemes were proposed: one linearly...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.