Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The standard ESD protection schemes are not very reliable for negative charge pump used in Class G power amplifiers. This work presents a novel ESD protection scheme using internal charge pump switches as ESD clamps. Transmission line pulsing (TLP) measurements show that an elevated level of ESD protection can be achieved with this scheme.
This paper presents an on-chip protection against IEC 61000–4–2 level discharges for Audio power amplifiers. It is shown that robust system level ESD protection can be achieved using on-chip circuits. A testing methodology to check design robustness at various phases of the design is also presented.
The standard ESD protection schemes are not very reliable for negative charge pump used in Class G Power Amplifiers. This work presents a novel ESD protection scheme using internal charge pump switches as ESD clamps. TLP measurements show that elevated level of ESD protection can be achieved with this scheme.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.