Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Germanium has higher hole mobility and is a candidate for replacing silicon for pMOSFETs. This work reviews the recent progresses in understanding the negative bias temperature instability (NBTI) of Ge pMOSFETs and compares it with SiON/Si devices. Both Ge and SiON/Si devices have two groups of defects: as-grown hole traps (AHT) and generated defects (GDs). The generation process, however, is different:...
Random Telegraphy Noise (RTN) and Negative Bias Temperature Instability (NBTI) are two important sources of device instability. Their relation is not fully understood and is investigated in this work. We examine the similarity and differences of the defects responsible for them. By following the As-grown-Generation (AG) model proposed by our group, we present clear evidences that the As-grown hole...
In this letter, we report positive bias-induced instability in single- and multilayer graphene field effect transistors (GFETs) with back-gate dielectric. The of GFETs increases as stressing time and voltage increases, and tends to saturate after long stressing time. In the meanwhile, it does not show much dependence on gate length, width, and the number...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.