Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We describe the characterization of low-cost glass/epoxy laminates at millimeter-wave frequencies up to 110 GHz. We characterize the loss, dielectric constant and Fiber-Weave-Effect properties of 3 such laminates. We also demonstrate several test cases of transitions at E-band and D-band frequencies (up to 130 GHz) designed with these laminates, showing excellent perform ance.
This paper presents the design and characterization results of the key components of calibrated passive radiometer (Dicke-radiometer) operating in the low D-band (around 130 GHz) and realized in IBM's standard 0.12-um SiGe BiCMOS technology (IBM8HP, fT /fMAX =180/220 GHz). Several perspective candidates for the Dicke-switch, the low-noise amplifier and the square-law detector have been designed and...
Imaging in the millimeter-wave range promises significant benefits for safety and security. The low THz range is being rapidly unraveled by various silicon technologies. The following work presents the progress on design and characterization of an amplifier operating in the 120 GHz frequency range, realized in IBM's standard 0.12-um SiGe BiCMOS technology. Highly encouraging is the good agreement...
In this talk we show how slow and fast light effects arising from the nonlinear gain and refractive index dynamics within semiconductor optical amplifiers can be used to control the phase shift of microwave frequency signals. Theoretical predictions with experimental conformation will be shown as to how continuous phase shifting can be achieved and pay particular attention to the noise issue that...
We present an analytical model to calculate the signal to noise ratio of a slow light based microwave phase shifter that uses semiconductor optical amplifiers. The model includes dynamic noise effects and is confirmed experimentally.
<para> An indium phosphide heterojunction bipolar transistor (InP HBT) oscillator chip was monolithically integrated with an on chip p-i-n photodiode. A controllable locking range was obtained in unidirectional injection locking. High-purity optoelectronic oscillator with parasitic modes lower than resulted from bidirectional injection locking. The optoelectronic oscillator...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.