Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper reports a novel material/process-based design for reliability-aware Ge gate stack for the first time. Initially good characteristics of Ge gate stacks do not necessarily guarantee the long-term device reliability. To overcome the big hurdle, we have investigated the stability of GeO2 network as well as the formation of new high-k. The very robust Ge gate stack with both 0.5 nm EOT and sufficiently...
This paper reports a novel material/process-based design for reliability-aware Ge gate stack for the first time. Initially good characteristics of Ge gate stacks do not necessarily guarantee the long-term device reliability. To overcome the big hurdle, we have investigated the stability of GeO2 network as well as the formation of new high-k. The very robust Ge gate stack with both 0.5 nm EOT and sufficiently...
This paper presents experimental results of the counter dipole formation in SiO2/high-k (Al2O3 and Y2O3)/SiO2/Si gate stacks for the first time. The results definitely support the high-k/SiO2 interface dipole layer formation in metal/high-k gate CMOS.
This paper will first discuss intrinsic advantages of high-pressure oxidation of Ge and then present further improvement of electron mobility in Ge n-MISFET using high-k gate stacks combined with high-pressure oxidation. The peak mobility is about 1500 cm2/Vsec, which is the highest one to date among unstrained Si and Ge MISFETs. Ge-CMOS is a strong candidate for beyond Si-CMOS.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.