Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
An EPROM cell structure is described that uses folded word lines with double Al layers. Cell characteristics are optimized to obtain high-speed access. The data retention reliability and erasability are studied, focused on a 2Al metallization process. The feasibility of the technology has been confirmed by a 1-Mb CMOS EPROM device which shows 16 ns access time and extremely high data retention reliability...
A 64 K*16-b CMOS EPROM which achieves 16-ns access time using differential sensing with a constant-bias circuit is described. A compact test sense amplifier circuit in parallel with the main sense amplifier guarantees sufficient threshold voltage shift for the programmed cell for high-speed sensing. Complementary data are programmed into the pair of FAMOS transistors, which form one memory cell. The...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.