Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Since large array devices of MOSFETs are huge for driving capabilities, ESD self protections are also required. Then, the large drain-contact-to-poly-gate-spacing layout rule is usually adopted with large layout areas. In this paper, a new control circuit is implemented for adopting the minimum device layout rule in the LAD. Hence, it results in a very small layout area and ESD self-protection capabilities...
This paper investigates techniques for N-type high-resistance polysilicon resistors to reduce the resistance deviation which is caused by the back-end mechanical stress. In the back-end layers of the wafer, a top metal thickness equal to $3~\mu \text{m}$ is provided to increase the heat allowing current density in the metal routes of power ICs. The top metal processing yields the mechanical stress...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.