Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A multiscale approach to modeling of accumulation of radiation defects in silicon alpha detectors applied in the associated particle imaging systems is developed. The approach includes: calculation of primary knock-on atoms energy distribution, calculation of number of primary defects per one alpha particle, solution of system of kinetic equations for concentrations of all secondary defects, and calculation...
A multiscale approach to modeling of accumulation of radiation defects in silicon alpha detectors applied in the associated particle imaging systems is developed. With this approach we calculated the dependencies of defect concentrations and leakage current on time in a detector which was irradiated by alpha particles with energy of 3.5 MeV.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.