Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We show that the transparency current plays a central role in setting the temperature dependence of both undoped and p-doped quantum dot lasers. The influence of inhomogeneous broadening is also analyzed and shown to influence.
Large cavity, very low threshold single layer quantum dot laser diodes with threshold current density of 10 A/cm2, output power > 2 W, and very-low internal loss of 0.25 cm-1 are achieved at CW room-temperature. Mode-locked operation of a large cavity laser diode with 40 mum stripe width is demonstrated at 3.75 GHz repetition rate.
In this presentation, a continuous-wave room temperature lasing at a threshold current density of 11.7 A/cm2 is reported. This is the lowest threshold current density ever reported for continuous-wave room temperature operation of a laser diode, to the authors' knowledge.
The physics of quantum dot lasers are studied theoretically and experimentally to study their threshold temperature dependence, and the relationship between internal loss and threshold current density.
Theory and experimental results for nonphotonic devices based on epitaxial nanostructures will be presented. The devices include new types of quantum light sources, high speed nanoscale laser diodes, and energy conversion devices for harvesting thermal energy.
The fabrication is described and data are presented on a laser diode that incorporates a buried photonic etched void pattern within its cavity. Side by side comparison with laser diodes fabricated without the pattern are used to demonstrate its influence on the laser characteristics
Summary form only given. Self-organized quantum dots (QDs) offer unique opportunities to realize new types of semiconductor lasers and spontaneous light sources. One of the more interesting and potentially important is their use in microcavities. In this paper the authors describe experimental data based on incorporating self-organized QDs in a new type of all-epitaxial microcavity that can form a...
Summary form only given. We present a process that seals an exposed AlAs layer against further oxidative decomposition. The sealant is formed by a rapid thermal anneal (RTA) to a temperature of /spl sim/500 to 600/spl deg/C in forming gas after brief exposure of the AlAs surface to the typical room environment. The surface barrier layer thus formed is thin and impermeable to diffusing oxygen species,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.