Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
III–V compound semiconductor quantum dot (QD) optical devices, such as high-power lasers and high-speed modulators, have great potential for the future of telecommunications and quantum cryptographic communication. We developed a top-down method for fabricating InGaAs quantum nanodisks (NDs) arrays by using bio-template and neutral beam etching (NBE) processes. Damage-free InGaAs/GaAs nano-pillar...
We study light management in a 430 nm-thick GaAs p-i-n single junction solar cell with 10 InGaAs/GaAsP multiple quantum wells (MQWs). The epitaxial layer transfer on a gold mirror improves light absorption and increases the quantum efficiency in the MQW region by a factor of 4 through the excitation of Fabry-Perot resonances. We show a good agreement with optical simulation and achieve around 9% efficiency...
InGaAs/GaAsP quantum wells (QWs) have been inserted into a GaAs p-i-n cell aiming at a better current matching of an InGaP/GaAs/Ge tandem solar cell: photon absorption at a longer wavelength range than the GaAs bandedge was attempted while keeping pseudo-lattice-matching to GaAs for the QW structure as a whole. The efficient extraction of photo-generated carriers from the InGaAs wells to an external...
We have developed the calculation technique using wafer's curvature and X-ray diffraction (XRD) pattern to analyze the structure of InGaAs/GaAsP multiple quantum wells (MQWs) grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). Instead of using difficult and time consuming XRD reciprocal space mapping (RSM), the curvature can effectively supplement the uncertain information of MQWs obtained from XRD...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.