Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The optical and electrical properties of silicon quantum dots are calculated using effective mass theory and tight binding method. The bandgap and intersubband gap energies as well as the tunnelling transmission probability of silicon quantum dots embedded in an amorphous silicon nitride are calculated for different Si/N ratios. Optical absorption spectra are calculated using tight binding method...
Using density functional theory and semi-empirical sp3d5s* tight binding calculations, we find that a 1% axial strain can change the bandgap of Hydrogenated Silicon nanowires by up to 100 meV. Further, compressive strain causes a direct-to-indirect bandgap transition. As the nanowire diameter increases, this transition occurs at smaller compressive strains, which makes it easier to experimentally...
In conclusion we have observed dramatic change in the band structure of SiNW which prove exploitable in many silicon based optical and mechanical sensors and devices. The transition from indirect to direct region proves that a transparent NW can be converted to an absorptive one. Stress induced by temperature and/or lattice mismatch (e.g. Si/Ge epitaxial layers) can be the basis for myriad of sensor...
Presenting a CMOS dual-loop, mixed-mode control circuit for 10.7 Gbps OC-192 laser diode/modulator driver chip is the purpose of this paper. This circuit is a part of a whole LDD chip, which is designed by standard TSMC 0.13 mum RF CMOS technology. Dual loops work concurrently to control average power and extinction ratio (ER) of laser diode or EAM/MZM devices
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.