Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, a 60 GHz CMOS on-chip dipole antenna with helium-3 ion irradiated silicon substrate is designed using knowledge of electromagnetic simulation modeling. Rectangular region with 500 um × 1000 um around the dipole is irradiated by helium-3 ion and conductivity is reduced to 0.01 S/m (1 k Ohm cm). The width of dipole section is wide for broad bandwidth and reduction of conductor loss. There...
Helium-3 ion irradiation technique is proposed to improve silicon substrate noise isolation by creating a local semi-insulated region with a resistivity over 1kΩ-cm in low-resistive silicon substrate. Noise isolation is improved about 10dB at 2GHz after helium-3 ion irradiation in a 180-nm CMOS process. A 90% noise reduction has been achieved in the measurement results for test structures with guard...
A helium-3 ion bombardment technique is proposed to realize high-$Q$ inductors by creating locally semi-insulating substrate areas. A dose of $1.0\times 10^{13}$ cm$^{-2}$ helium-3 increases a Si substrate resistivity from 4 $\Omega \cdot $ cm to above 1 $\text{k}\Omega \cdot $ cm, which improves the quality factor of a 2-nH inductor with a 140-$\mu \text{m}$ diameter by 38% ($Q=16.3$ ...
A novel helium-3 ion bombardment technique is proposed for creating locally semi-insulating substrate areas. A helium-3 dose of only 1.5×1013cm−2 increases a Si substrate resistivity from 6Ω-cm to 1.5kΩ-cm, which improves the quality factor of a 2-nH inductor with a 140µm-diameter by 38% (Q=16.3). An aluminum mask is used for covering active areas, and at most 15-µm distance from the mask edge is...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.