Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Ultra-thin (5 and 6nm) silicon oxynitride layers have been fabricated by the plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD) process. Split experiments with annealing of the deposited dielectric layers were performed using the RTP reactor and a standard furnace, both at 900°C. Possible changes in properties, structure and chemical composition of the obtained layers were investigated by means of...
Rapid development in hard coating technology calls for simple construction depth profile analysers. Here we present results of depth profile analysis of a set of Ar arc plasma deposited TiN, CrN layers. The results are obtained with the use of recently constructed simple glow discharge mass spectrometer (GDMS) and compared with secondary ion mass spectrometer (SIMS). In SIMS (SAJW-05 model) we apply...
A design of quadrupole-based glow discharge mass spectrometer is briefly presented. A glow discharge occurs when a DC voltage (up to 3kV) is applied between two electrodes in a cell filled with Ar at ∼1hPa pressure. In this configuration, the sample acts as the cathode, and its surface (∼12mm 2 ) is sputtered by impacting Ar ions. The sputtered neutral atoms are ionised downstream in the plasma,...
Capacitance–voltage profiling and drive level capacitance profiling have been used in order to determine net shallow acceptor concentration in the absorbers of Cu(In,Ga)Se 2 -based solar cells. Metastable changes of the net doping distribution produced by reverse bias and light soaking have also been investigated. We discuss the influence of deep levels on the results and attribute apparent...
Compared are interfaces between thin silicon oxide layers and two substrates bulk silicon and porous silicon. About 2μm thick porous silicon was prepared by an electrochemical etching of Si in HF solution. Oxide layers were formed by thermal oxidation. Part of SiO 2 /Si samples were covered with 50nm RuO 2 oxide. SIMS depth profiles of these interfaces were performed using ultra-low...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.