Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We describe an in-situ method for inhibiting surface roughening during the thermal removal of the GaAs native oxide layer based on a thin sacrificial GaAs film deposited on top of the native oxide layer prior to sample heating. The required thickness of the sacrificial film is calculated to be of the order of 5 nm, fitting well with the experimental results. Atomic force microscopy and reflection...
An in situ method for inhibiting surface roughening during the thermal removal of the silicon native oxide layer is explored and developed. The method entails depositing a thin sacrificial silicon film at low temperature directly exterior to the native oxide, following which the sample is heated such that the native oxide preferentially reacts with the sacrificial film reducing wafer etching. The...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.