Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper we present simulation results obtained with our electro-thermal device simulator when modeling different technology generations of nano-scale fully depleted Silicon-on-Insulator (FD-SOI) devices. The electro-thermal simulator is based on a combined ensemble Monte Carlo device simulator coupled to moment expansion of the phonon Boltzmann transport equations. In particular, we stress out...
In this paper, we continue our investigations on self-heating effects in nanoscale fully depleted (FD) silicon-on-insulator (SOI) devices with emphasis on what is the appropriate simulation domain needed for accurate modeling. In that context, we examine the influence of the underlying substrate on the current degradation in the active channel region and what needs to be the proper boundary conditions...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.