Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The molecular beam epitaxy (MBE) is a powerful technology for the manufacturing of group-IV heteroepitaxial films with doping concentrations ranging from 1014cm-3 to solubility and thicknesses down to a few monolayers. Combined with a CMOS-compatible (CMOS: complementary metal-oxide-semiconductor) device technology novel device concepts for high-speed electronics and optoelectronics based on crystalline...
A series of systematic investigation on the graphoepitaxial growth of germanium has been carried out by a focused traveling IR line zone heating apparatus assisted with a substrate heater system. The epitaxial sample is a multi-layer thin film having a structure of about 3 /spl mu/m thick of evaporated germanium sandwiched between SiO/sub 2/ films deposited on a [001] texture etched silicon substrate...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.