Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, the impact of a severe on-state stress on the IDS (VDS, VGS) characteristics of AlInN/GaN devices is analyzed by electroluminescence technique performed at room temperature. In fact, the devices operate in bias conditions that allow measuring the bell- shaped gate current. To our knowledge, it is the first time that a bell-shaped gate current centered at a positive VGS and measured...
Location and properties of traps generated in AlGaN/GaN high electron mobility transistors submitted to electrical stress was studied using an integrated electrical and optical methodology. A spatial and spectral electroluminescence study reveals traps generated during both OFF- and ON-state stress to be located in the gate and access region close to the drain side of the gate edge, while UV-light...
A new methodology is developed to determine spatial location and properties of traps generated by electrical stressing of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors, based on integrated optical and electrical analysis. Mild off-state stress increases irreversibly the number of traps located in the near-surface AlGaN region at the gate edge. A deep level with 0.45-eV activation energy in fresh devices...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.