Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, an experimental investigation on high temperature carrier mobility in MOSFETs is carried out with the aim of improving our understanding of carrier transport. The effective mobility is sensitive to the values of the effective channel length (Leff) and source/drain resistance (RSD). Therefore the extraction of Leff and RSD was performed in extracting carrier mobility at high temperature.
The modified Schottky barrier (MSB) MOSFET with low-resistance metal source/drain and good short-channel effect immunity is one of the promising nanoscale device structures. In this letter, a modified external load resistance method was proposed to extract the bias-dependent source injection resistance of the MSB MOSFET for the first time. The effect of the thermal budget of the MSB process on the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.