Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A novel vertical field plate (VFP) lateral device with ultralow specific on-resistance is proposed in this paper. The VFP surrounded by oxide is inserted in the bulk of the drift region. Compared to the surface local depletion of the conventional lateral field plate (LFP), the depletion layer of the VFP expands to the bulk of the drift region, which enhances the bulk electric...
We have observed new charge trapping phenomena in sub-80-nm DRAM recessed- channel-array-transistor (RCAT) after Fowler-Nordheim (FN) stress. Gate stack process strongly affected the charge trapping and the trap generating in oxide bulk and interface of RCAT. According to the trapped charges and/or the generated traps after FN stress, the data retention time and writing capabilities of DRAM were dramatically...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.