Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Przedstawiono procesy precyzyjnego trawienia cienkiej warstwy AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN. Trawienia cienkich warstw AlGaN prowadzono w plazmie dużej gęstości BCI₃/Ar uzyskując szybkości trawienia na poziomie 10 nm/min. Dla metalizacji Ti/Al/Ni/Au najniższą wartość rezystancji kontaktu AI₂₈Ga₇₂N/(Ti/AI/Ni/Au), wynoszące Rc= 1 Ωmm i rc = 2 • 10 ⁻⁵ Ωcm², zaobserwowano dla głębokości...
In this paper, we present high performance 0.25mum gate-length self-aligned AIGaN/GaN HEMTs on 6H-SiC substrates using a single ohmic step. Our recently developed Mo/Al/Mo/Au-based ohmic contact requiring annealing temperatures between annealing temperatures 500 and 600degC was utilized. Ohmic contact resistances between 0.3 - 0.5 ohm-mm have been achieved.
In this work we report AIGaN/GaN HEMTs with nonalloyed ohmic contacts by large angle ion implantation with a contact resistance to the channel of 0.2 Omegamm.
The paper reports on the characteristics of N-face AlGaN/GaN/AlGaN HEMTs. Ohmic contact optmization experiments based on the Ti/Al/Ni/Au metallization scheme commonly used for Ga-face AlGaN/GaN HEMTs were carried out and a low contact resistance of 1.3 Ohm/mm was achieved. The devices were then characterized before and after SiN passivation. Before passivation, large current dispersion was observed...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.