Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Channel waveguide was fabricated in a KLTN crystal. The waveguide was produced by a selective implantation of He+ ions into the crystal through a gold stopping mask, which created a trough shaped cladding.
We have investigated strain relaxation of patterned SiGe lines after He implantation and annealing. Asymmetric relaxation of the SiGe lines transforms biaxial stress into nearly uniaxial stress for very narrow lines. The effect of the anisotropic stress on the carrier mobility of strained silicon on top of the SiGe lines will be discussed in the frame of the piezoelectric resistivity model as presented...
We investigate the strain state in patterned SiGe lines of various widths after strain relaxation by He ion implantation and annealing (Hollander et al, 2001). We expected that the relaxation in such patterned virtual substrates must be more pronounced in one direction of the stripe than the other, thereby opening a possibility for further enhancement of hole mobility. We employed high-resolution...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.