Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper summarizes our recent results on the analysis of the trapping-induced parasitic effects in GaN-based high electron mobility transistors for power switching applications. More specifically, we demonstrate the following relevant mechanisms: (i) dynamic Ron shows a significant increase when the devices are operated at high temperature levels; this effect is ascribed to a stronger trapping...
The aim of this work is to quantitatively investigate the physical origin of the temperature-dependent dynamic Ron in GaN based power transistors grown on silicon substrate. The analysis is based on combined trapping/detrapping measurements. Trapping was induced by exposing the devices to two different bias points: off-state bias (VGS=−10 V, VDS=100 V, and VB=0 V), and backgating bias (VGS=0 V, VDS...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.