Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Investigations of the fundamental properties of graphene have leveraged the versatility of the CMOS fabrication platform early on by using oxidized semiconductor substrates with a highly doped back gate to behave as a metal gate down to cryogenic temperatures. For future applications at room temperature and co-integration with standard silicon circuits, standard substrates should be considered and...
Change in refractive index and corresponding change in optical properties like propagation loss, group index and dispersion in active PIN silicon waveguide with and without photonic crystal core are investigated by changing doping concentration. This investigation sets a bound on doping density which is utilized to change effective refractive index for various applications like modulation, switching,...
This paper addresses a simultaneous analysis of the intrinsic length (L1) and the operating temperature, which are, respectively, a preeminent design variable and a fundamental boundary condition for lateral PIN photodiodes. The analysis is focused in the responsivity and signal-to-noise ratio (SNR), in order to investigate the best configuration for a given technology. CMOS PIN photodiodes with different...
As a result of the low modulation efficiency of carrier-depletion Mach-Zehnder silicon optical modulator, it always needs a high voltage around 6 V, which is very difficult to supply in an integrated high-speed CMOS chip. We demonstrate a carrier-depletion Mach-Zehnder silicon optical modulator which works at a low voltage. Its coplanar waveguide electrode is carefully designed to make sure the electrical...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.