Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Tensile-strained, n-doped germanium-on-insulator (GOI) substrates with doping concentration up to 1.0×1020 cm−3 are fabricated by wafer bonding and spin-on-dopant. Resonant photoluminescence peaks corresponding to whispering gallery modes are obtained from microdisks fabricated on GOI at room-temperature.
We for the first time demonstrated a chiral mono-crystalline cone-shaped silicon structure (chiral Si nano-cone). It was fabricated on a nano-scale by transferring the optical angular momentum of optical vortex to a mono-crystalline Si substrate.
This study investigates the performance of avalanche photodetectors (APDs) with a SiGe/Si multiple quantum well (MQW) structure, which are fabricated using an ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD) system. SiGe MQW APD with a peak response at 1500 nm is obtained. The origin of the detection is due to optical absorption in the SiGe layers. The fabrication of the SiGe/Si MQW APD is compatible...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.