Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Based on the bulk conduction mode of the quasi-2-D scaling theory, an analytical threshold voltage model for short-channel junctionless (JL) double-gate MOSFETs is developed for the first time. The model explicitly shows how the device parameters such as the silicon thickness, oxide thickness, drain bias, and channel length affect the threshold voltage degradation. The model can also be extended to...
This paper studies the impact of intra-die random variability on low-power digital circuit designs, specifically, circuit timing failures due to intra-die variability. We identify a new low-Vdd statistical failure mode that is strongly supply-voltage dependent and also introduce a simple yet novel method for quantifying the effects of process variability on digital timing - a delay overlapping stage...
For several decades, the output from semiconductor manufacturers has been high volume products with process optimisation being continued throughout the lifetime of the product to ensure a satisfactory yield. However, product lifetimes are continually shrinking to keep pace with market demands. Furthermore there is an increase in dasiafoundrypsila business where product volumes are low; consequently...
The dramatic increase in leakage current, coupled with the swell in process variability in nano-scaled CMOS technologies, has become a major issue for future IC design. Moreover, due to the spread of leakage power values, leakage variability cannot be neglected anymore. In this work an accurate analytic estimation and modeling methodology has been developed for logic gates leakage under statistical...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.