Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this brief, high-κ HfZrO (via atomic layer deposition) fabricated by a novel multideposition multiroom-temperature annealing (MDMA) technique in ultraviolet-ozone (UVO) ambient is systematically investigated by both electrical and physical characterization and is integrated with a TiN metal gate in a gate-last process. Compared with the conventional rapid-thermal-annealed sample, it is found that...
At a given thickness of HfO2, atomic layer deposited (ALD) TaN metal-gates showed higher equivalent oxide thickness (EOT) and flat-band-voltage (Vfb) shift compared to physical vapor deposited (PVD) TaSiN after annealing at 750degC for 30 min in N2. TEM data revealed the growth of a thicker interfacial oxide of 1.7 nm for TaN compared to 0.9 nm for TaSiN. In addition, TaN showed higher effective workfunction...
The HfO2/Hf stacked film has been applied as the gate dielectric in MOS devices. The HfO2 thin film was deposited on p-type (100) silicon wafers by atomic layer deposition (ALD) using TEMAH and O3 as precursors, Prior to the deposition of HfO2 film, a thin Hf metal layer was deposited as an intermediate layer. The deposition temperature of HfO2 thin film was 350degC and its resulted thickness was...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.