Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents an electromagnetic simulation-based modelling solution for active and passive devices which targets 60 GHz front-end integrated circuits. An EM model, using existing transistor compact models as core, is developed to account for the parasitic elements due to wiring stacks. A spiral inductor lumped model, based on EM simulation S-parameter data is also derived. The models are process...
In this paper, influences on CMOS voltage controlled oscillator (VCO) caused by dummy metal fills are investigated. Two fully integrated VCOs are fabricated, tested and verified in 0.18-mum 1P6M bulk CMOS technology. The area-consuming inductors and capacitors of the VCOs are implemented by multilayer complementary-conducting- strip transmission lines (CCS TLs) and metal-oxcide-metal (MOM) capacitors,...
As CMOS scales down and sees is cost per mm2 increasing, area-aware RF design solutions are called for. Integrated inductors with multiple taps allow for low-area multi-band RF circuit design. This work reports on the design of these inductors and provides modelling and extraction procedures demonstrated on 4-port measurements. Additionally, the application of such inductors is demonstrated on a low-area...
This paper presents a concept for integration of ESD protection devices without degrading the high-frequency circuit performance. A differential 18 GHz low-noise amplifier (LNA) has been realized in 0.13 mum CMOS. The ESD protection devices are connected using on-chip inductors. The measured JESDHBM performance is > 2 kV including RF-pins.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.