Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The silicon-on-thin-buried-oxide (SOTB) CMOSFET is one of the strong candidates for further scaling because of its smallest Vth variation and back-bias controllability. This study focuses on its reliability, i.e., the hot-carrier-injection (HCI) degradation for the n-channel MOS and the negative-bias temperature instability (NBTI) for p-channel MOS. A comparison of the SOTB CMOSFET with a conventional...
Previous conflicting reports concerning fully-depleted SOI device hot electron reliability is partially due to misunderstanding over the maximum channel electric field (E/sub m/). Experimental results using SOI MOSFETs with body contacts indicate that E/sub m/ is just a weak function of thin-film SOI thickness (T/sub si/) and E/sub m/ can be significantly lower than in a bulk device with drain junction...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.