Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
At a given thickness of HfO2, atomic layer deposited (ALD) TaN metal-gates showed higher equivalent oxide thickness (EOT) and flat-band-voltage (Vfb) shift compared to physical vapor deposited (PVD) TaSiN after annealing at 750degC for 30 min in N2. TEM data revealed the growth of a thicker interfacial oxide of 1.7 nm for TaN compared to 0.9 nm for TaSiN. In addition, TaN showed higher effective workfunction...
This paper discusses a role of the oxygen vacancy in HfO2/ultra-thin (UT) interfacial layer (IL) SiO2 gate stacks, focusing on the VFB roll-off. The metal/top-SiO2/HfO2/UT IL-SiO2/Si gate stacks have been studied. It is found for the first time that the VFB roll-off is eliminated by inserting 1~2 nm top-SiO2 between metal gate and HfO2. This elimination of the VFB roll-off is explained by compensating...
We have investigated the time dependent dielectric breakdown (TDDB) characteristics for a high-k/metal gate pMOSFET under inversion stress. We found that electrons, injected from the cathode, being minority carriers in the gate leakage current play an important role in determining TDDB lifetime and found that the presence of oxygen vacancies in HfSiON determine the electron current mechanism in HfSiON...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.