Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Phase change memory (PCM) technology is a strong contender for the next‐generation memory in today's data‐centric era. In3SbTe2 (IST) phase change material is recently explored due to its good thermal stability, rapid electrical switching, and significant resistance contrast for multibit storage. However, the main concern in PCM devices is the high‐energy usage during the phase switching process....
It is well‐established that oxidation of a stepped surface can lead to the formation of 1D metal oxide nanowires along the steps. However, it is still uncertain how the extent of surface oxidation impacts the characteristics of these nanowires. Ab initio study of the effect of the oxidation state of a nonmagnetic vicinal Au surface on the magnetic properties of 1D Mn nanowires formed on the step edge...