Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Thick hydride vapor phase heteroepitaxy of some III–V, II–VI, and III–VI binary and ternary semiconductor materials such as GaAs, GaP, GaP, GaAsxP1‐x, ZnSe, and GaSe is performed on GaAs substrates and orientation‐patterned GaAs templates. Up to 500 μm thick GaAs, GaP, GaP, GaAsxP1‐x, and ZnSe layers are deposited in single growths or after a regrowth. The GaSe layers deposited through van der Waals...
Direct heteroepitaxy and selective area growth (SAG) of GaP and GaAs on Si(100) and Si(111) are implemented by low‐pressure hydride vapor phase epitaxy (LP‐HVPE), which are facilitated by buffer layers grown at 410–490 °C with reactive gas mixing directly above Si substrates. High‐density islands observed on GaP buffer layers on Si result in rough morphology and defect formation in the subsequent...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.