Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Perpendicular magnetic tunnel junctions (MTJs) based on MgO/CoFeB structures are of particular interest for spin-transfer torque magnetic random access memories (STT-MRAMs). However, their major challenges of combining both a large tunnel magneto-resistance ratio (TMR) and a low junction resistance, a strong interfacial perpendicular magnetic anisotropy (PMA) for the high thermal stability and a low...
Low power consumption of high-speed memories such as cache memories will be realized by use of magnetic random access memory (MRAM). We have proposed the voltage-control spintronics memory (VoCSM) as a writing method. The VoCSM has a large operation margin because the current path in writing and the voltage path in reading are separated. The fabrication process we have employed is the two-step self-alignment...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.