Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A low noise 50×100 µm2 pnp pin phototransistor is presented in this paper. The phototransistor is fabricated in a 0.35 µm CMOS process. An optimized layout leads to responsivities up to 1.99 A/W and bandwidths up to 151.4 MHz. Noise measurements show a low total output current noise spectral density of only 6.67×10−24 A2/Hz for a collector current of 2 µA.
A time-of-flight range finding sensor using a monolithic integrated pnp phototransistor is presented. The phototransistor was specially adapted for the requirements of the time-of-flight application. The sensor has a fill factor of 75 % and achieves standard deviations down to 7.3 mm at 6250 fps and an incident optical power of −40 dBm.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.