Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We present an ultra-low-power SiGe BiCMOS receiver front-end for X-band phased-array radar systems. The receiver, which consists of two LNAs and a 3-bit phase shifter, consumes only 4 mW of DC power while achieving over 10 dB of gain, less than 5 dB noise figure, and an OTOI of over 10 dBm. In addition, the RMS gain and phase errors were less than 0.5 dB and 2deg, respectively. This design demonstrates...
A new differential LNA dedicated to 60 GHz band has been implemented in a 130 nm BiCMOS technology intended for millimeter-waves (mm-Waves) applications. Focusing on the circuit implementation which is a critical design step in mm-Waves range, this work proposes a systematic modeling of layout parasitic elements leading to almost perfectly fit measurement and simulation results. The two stage cascode...
We present a wideband, very low power, Low Noise Amplifier (LNA) implemented in Silicon-Germanium heterojunction bipolar transistor (SiGe HBT) technology. This SiGe LNA is broadband, covering the frequency range of 5-11 GHz, and achieves a peak gain of 19.2 dB and 66% fractional bandwidth. The LNA exhibits a Noise Figure (NF) of 1.8-2.6 dB across band and consumes only 9 mW of power. To the authors'...
A 122 GHz subharmonic receiver for imaging and sensing applications has been realized, which consists of a single-ended LNA, a push-push VCO with 1/32 divider, a polyphase filter, and a subharmonic mixer. It is fabricated in SiGe:C BiCMOS technology with fT/fmax of 255 GHz/315 GHz. The down-conversion gain of the receiver is 25 dB at 127 GHz, and the corresponding noise figure is 11 dB. The 3-dB bandwidth...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.