Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A scaled planar FBC technology with undoped-body is demonstrated featuring 10-nm BOX, 25-nm SOI, high-k and metal gate. Good agreement on retention window characteristics between measured data and simulations is achieved at multiple temperatures and illustrates Shockley-Read-Hall (SRH) recombination and generation dominated loss mechanism during hold condition. Optimization of Source-Drain (SD) and...
A comprehensive model is presented to analyze the 3D source-drain resistance of undoped double gated FinFETs. The model incorporates the contribution of the spreading resistance, sheet resistance and the contact resistance. The spreading resistance is modeled using a standard 2D model generalized to 3D. The contact resistance is modeled by generalizing the 1D tranmission line model to 2D and 3D with...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.