Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this work, we have compared different FB-RAM architectures. Whereas highly doped PDSOI devices show high programming window and retention times for long channel devices, the SOI FinFET devices with WFIN=25 nm can be scaled down to LG=50 nm while still maintaining high cell margins and retention times. For the latter devices optimization of the write and especially read bias conditions is needed.
According to the CMOS device on SOI substrate (SOI CMOS device), we investigate the influence of holes accumulated in buried oxide film (BOX) under the radiation environment by monitoring leakage current with back bias. We confirmed that the leakage current has the colleration to total ionizing dose (TID). SOI CMOS assumed to be not good on TID, compared to bulk. But, we confirmed the tolerance to...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.