Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This work reports, high electron mobility transistors (HEMTs) using a dilute antimony In0.2Ga0.8AsSb channel, grown by molecular beam epitaxy (MBE) system. Introducing the surfactant-like Sb atoms during growth of the InGaAs/GaAs quantum well (QW) was devised to effectively improve the channel confinement capability and the interfacial quality within the InGaAsSb/GaAs QW heterostructure, resulting...
Performances of AlGaN/GaN HFETs have much improved recently and very high potential of this heterostructure for high power and high frequency electronic devices has been verified. Application of new device technologies such as field plate, recessed gate, digital pre-distortion circuit and dual field plate was essential to realize such high device performances both at 2 GHz, 5GHz and 26 GHz. However,...
Large current carrying capabilities of AlN/GaN/InN based heterostructures and high breakdown voltages make this materials system uniquely suited for applications in high power and/or high frequency electronic devices, including power amplifiers, broadband amplifiers, power switches, and radio frequency switches. AlGaN/GaN insulated gate transistors have additional advantages of extremely low leakage...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.