Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report on the THz pulse detection by a photoconductive InGaAs High Electron Mobility Transistor with enhanced sensitivity due to induced nonlinearities mixing the rectified optical pulse with the THz pulse. The experimental setup (see Figure 1) is similar to that used in the THz Time Domain Spectroscopy (TDS) but instead of a photoconductive antenna typically fabricated on low temperature grown (LT) GaAs, we use a submicron HEMT (with a 130 nm gate) connected to a 50 GHz transmission line (see Figure 2) to improve the bandwidth.