Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The accurate simulation of implanted and diffused impurity profiles in silicon is extremely important when developing VLSI processes. In this work simulations with different process simulators and the corresponding experimental results for implantation and diffusion in N2 ambient of boron in silicon are compared. Our study reports a remarkable dose dependence of the shape of the experimental profiles. Strategies have been developed to increase the simulation accuracy.
IMEC, Kapeldreef 75, B-3030 Leuven, Heverlee, Belgium; Professor of the Katholieke Universiteit, Leuven, Research Associate of the Belgian National Found for Scientific Research.