Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Selective chemical vapor deposition (CVD) of TiSi 2 has been obtained from TiCl 4 /DCS/H 2 chemistry using an industrial integrated cluster reactor. First, some fundamental aspects were studied in order to better understand the process. Prior to deposition, an incubation time exists which increases with decreasing deposition temperature. For temperatures between 650 and 780°C,...
Titanium nitride layers are deposited by Rapid Thermal Low-Pressure Chemical Vapor Deposition (RTLPCVD) from the TiCl 4 -NH 3 -H 2 gaseous phase. Growth rate, resistivity and crystallographic orientation are studied as a function of the deposition temperature and the NH 3 /TiCl 4 partial pressures ratio called R. To fulfill the TiN barrier layer requirements,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.