Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Nanometer sized crystalline (nc) Si formation in the SiH 4 plasma cell with very-high-frequency (144 MHz) excitation has been investigated with the Ar and H 2 dilution method. The SiH 4 plasma cell is attached to the ultra-high-vacuum chamber. The crystalline Si is formed in the gas phase of the plasma cell by coalescence of radicals produced from SiH 4 . The nc-Si is extracted out of the plasma cell through the orifice to the ultra-high-vacuum chamber. The deposition rate increases with Ar dilution and decreases with H 2 dilution. The average grain size decreases with H 2 dilution. The dependence of the deposition rate and the grain size on the dilution condition is discussed.