The Infona portal uses cookies, i.e. strings of text saved by a browser on the user's device. The portal can access those files and use them to remember the user's data, such as their chosen settings (screen view, interface language, etc.), or their login data. By using the Infona portal the user accepts automatic saving and using this information for portal operation purposes. More information on the subject can be found in the Privacy Policy and Terms of Service. By closing this window the user confirms that they have read the information on cookie usage, and they accept the privacy policy and the way cookies are used by the portal. You can change the cookie settings in your browser.
W pracy przedstawiono wyniki badań elektrycznie aktywnych głębokich poziomów defektów wykrytych w diodach Schottky'ego na bazie 4H-SiC typu n, implantowanych jonami Al*, za pomocą metody niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS). W badanych strukturach wykryto obecność pięciu głębokich pułapek elektronowych i wyznaczono ich charakterystyczne parametry elektryczne, takie jak: energia...
Trzy próbki węglika krzemu o politypie 4H (4H-SiC) pokryto sekwencją warstw węgiel/nikiel/krzem/nikiel/krzem, a następnie poddano wygrzewaniu w celu wytworzenia kontaktów omowych. Analiza pasm ramanowskich wskazuje na różnice pomiędzy widzianą z obu stron strukturą warstwy węglowej pomimo, że grubość samej warstwy węglowej odpowiada 8 do 10 monowarstwom grafenowym.
W artykule omówiono wybrane badania struktur na SiC, przeprowadzone w ramach realizacji projektu InTechFun. Wymagały one zastosowania kompleksu zaawansowanych metod optycznych, fotoelektrycznych i elektrycznych, które pozwoliły na ujawnienie własności strukturalnych kontaktów krzemkowych do SiC oraz wpływu mikro-naprężeń mechanicznych w bramce na niektóre parametry kondensatorów MOS na węgliku krzemu...
W pracy przedstawiono charakterystyki statyczne wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET mocy wykonanych z krzemu i z węglika krzemu. Przedyskutowano przebieg tych charakterystyk oraz przeanalizowano wpływ materiału, z którego wykonano tranzystor, na jego właściwości statyczne. Wskazano sytuacje, w których korzystniejsze jest stosowanie elementów wykonanych z węglika krzemu.
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk izotermicznych i nieizotermicznych tranzystorów MOSFET z węglika krzemu oraz krzemowych, o podobnych parametrach dopuszczalnych. Określono wpływ temperatury na rezystancję R DS(on) oraz przeanalizowano jej wpływ na charakterystyki nieizotermiczne tranzystorów.
W pracy analizowano wpływ wygrzewania niskotemperaturowego w atmosferze O₂ i N₂O na rozkład przestrzenny azotu w warstwach dwutlenku krzemu (SiO₂) wytwarzanych metodą utleniania termicznego powierzchni podłoży z węglika krzemu typu n o polarności krzemowej - 4H-SiC (0001). Warstwy SiO₂, wytwarzano w atmosferze mokrego O₂ w temperaturze 1175°C. Po procesie utleniania wszystkie próbki zostały wygrzane...
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów parametrów elektrycznych struktur metal-SiO₂-SiC uzyskanych na podstawie elektrycznych i fotoelektrycznych technik charakteryzacji. Parametry te, do których należą efektywna kontaktowa różnica potencjałów φMS, wysokość bariery potencjału na granicy metal-dielektryk E BG oraz napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku V FB wykreślone w funkcji współczynnika...
Set the date range to filter the displayed results. You can set a starting date, ending date or both. You can enter the dates manually or choose them from the calendar.