The Infona portal uses cookies, i.e. strings of text saved by a browser on the user's device. The portal can access those files and use them to remember the user's data, such as their chosen settings (screen view, interface language, etc.), or their login data. By using the Infona portal the user accepts automatic saving and using this information for portal operation purposes. More information on the subject can be found in the Privacy Policy and Terms of Service. By closing this window the user confirms that they have read the information on cookie usage, and they accept the privacy policy and the way cookies are used by the portal. You can change the cookie settings in your browser.
Przedstawiono aktualne trendy rozwojowe w zakresie fizyki i technologii azotkowych laserów złączowych ze szczególnym uwzględnieniem sytuacji, jaką stwarza możliwość wytwarzania tych przyrządów na podłożach z azotku galu (GaN). Lasery azotkowe są obecnie produkowane przez nieliczne ośrodki technologiczne na świecie głównie na podłożach szafirowych lub niekiedy na podłożach z węglika krzemu, czy też...
The results of investigations of the (0001) (N-polar) surface of GaN bulk crystals are presented together with a brief review of the knowledge about GaN surface electronic structure accumulated up to the present. The band structure of GaN(0001) - (1 x 1) in the directions G-A and G-K has been analysed on the grounds of the data obtained by means of angle-resolved photoemission spectroscopy. The proposed...
W pracy przedstawiono zastosowanie metodyki spektroskopii impedancyjnej do oceny przydatności heterostruktur AlGaN/GaN do wytwarzania tranzystorów HFET (Heteostructure Field Efect Transistor-Hetertostrukturalny Trazystor Polowy). Heterostruktury AlxGa1-xN/GaN (x = 0,20÷0,27) osadzano techniką MOVPE (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy - Epitaksja z Fazy Gazowej ze Związków Metaloorganicznych). Pomiary...
W artykule przedstawiono kryształy stosowane jako podłoża do epitaksji azotku galu. W tabeli zebrano podstawowe i istotne dla epitaksji dane materiałowe. Omówiono pokrótce właściwości i zastosowania tych podłoży. Pokazano na diagramie niedopasowania sieciowe oraz różnice współczynników rozszerzalności cieplnej różnych podłoży i GaN. Wskazano na możliwości wytworzenia samonośnych podłoży GaN do zastosowań...
Artykuł omawia właściwości półprzewodników z szeroką przerwą energetyczną i wynikające z nich możliwości zastosowań w warunkach, w których wymagane są duże napięcia przebicia, gęstości prądu lub wysokie temperatury pracy. Właściwości azotku galu, węglika krzemu i diamentu porównane są z krzemem jako materiałem najszerzej stosowanym w elektronice. Omówione są także przykłady zastosowań tych materiałów...
Artykuł omawia zagadnienia związane z możliwościami jakie daje spektroskopia mikrbramanowska w analizie warstw epitaksjalnych azotku galu: wyznaczanie naprężeń i rozkładu naprężeń oraz odkształcenia w strukturach epitaksjalnych, a tym samym określenie jakości kryształu powierzchniowego. Możliwość jakościowej i ilościowej analizy wynika z faktu, że widmo Ramana jest charakterystyczne dla danego rodzaju...
W pracy przedstawiono podstawowe problemy technologiczne związane z otrzymywaniem metodą LP MOVPE warstw heteroepitaksjalnych azotku galu na podłożach z węglika krzemu. Przedstawiono wyniki charakteryzacji buforowych warstw epitaksjalnych GaN na SiC otrzymywanych przy różnych ciśnieniach. Przydatność opracowanej technologii krystalizacji bufora GaN zweryfikowano poprzez wykonanie pełnej heterostruktury...
W pracy przedstawiono szczegóły procesu wzrostu warstw GaN na podłożach Si(111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono również wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych warstw.
W pracy przedstawione zostały wyniki charakteryzacji lokalnych właściwości detektorów MSM (Metal-Semiconductor-Metal) oraz rezystancyjnych wytworzonych w warstwach GaN, struktur tranzystorów unipolarnych wykonanych w warstwach azotku galu, cienkich warstw metali katalitycznych, heterostruktur AlAs/AIGaAs/GaAs oraz powierzchni węglika krzemu wykonanych różnymi trybami mikroskopii sił atomowych. Badania...
Bulk GaN crystals are regarded as the most promising candidates for substrates for optoelectronic, high power and high frequency electronic devices. In this paper some principles of ammonothermal method of bulk gallium nitride growth are presented. Excellent structural properties and wide spectrum of electrical parameters of obtained this way truły bulk GaN crystals are shown. In considered crystals...
W artykule przedstawiono wyniki modelowania i symulacji różnych struktur tranzystora HEMT i MOS-HEMT AI₀.₂₈Ga₀.₇₂N/GaN. Wykonano symulacje dla tranzystora HEMT z domieszkowaną warstwą AI₀.₂₈Ga₀.₇₂N na podstawie, których określono wpływ koncentracji elektronów na parametry tranzystora. Wykazano, że zmniejszanie grubości warstwy AI₀.₂₈Ga₀.₇₂N w obszarze bramki wpływa na proporcjonalne zwiększenie napięcia...
W pracy przedstawiono wyniki uzyskane podczas wzrostów warstw i nanostruktur GaN na podłożach Si (111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych struktur.
W artykule przedstawiono wyniki modelowania tranzystora HEMT AI₀.₂₈Ga₀.₇₂N/GaN oraz zaprezentowano wykorzystane i zaimplementowane do środowiska symulatora ATLAS firmy Silvaco, modele właściwości fizycznych AI₀.₂₈Ga₀.₇₂N, GaN i materiałów podłoża. W pracy uwzględniono efekty kwantowe w obszarze studni potencjału kanału tranzystora oraz efekty cieplne występujące w strukturze. Zbadano wpływ podłoża...
W artykule przedstawiono wyniki modelowania normalnie wyłączonego tranzystora HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN. Zbadano wpływ poszczególnych elementów konstrukcji na parametry elektryczne tranzystora, w szczególności na wartość napięcia progowego (Vth) oraz maksymalnej wartości prądu drenu w stanie włączenia tranzystora. Przedstawiono zależność parametrów tranzystora od składu warstwy buforowej AlxGa...
W pracy przedstawiono wyniki prac badawczych nad technologią tranzystorów HEMT na bazie azotku galu prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej. Omówione zostaną konstrukcje tranzystorów przeznaczonych do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy oraz do zastosowań w energoelektronice. Przedstawione zostaną wybrane elementy technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu Ammono-GaN m.in...
W referacie przedstawiono parametry mikrofalowych tranzystorów i układów scalonych z azotku galu wytwarzanych przez wiodących producentów. Możliwości aplikacji tranzystorów GaN HEMT w postaci chipów oraz w obudowach zaprezentowano na przykładach skonstruowanych wzmacniaczy o mocy wyjściowej 250 W CW na pasmo ISM2.45 GHz dla systemów grzania mikrofalowego. Dla porównania przedstawiono wzmacniacz o...
Set the date range to filter the displayed results. You can set a starting date, ending date or both. You can enter the dates manually or choose them from the calendar.