Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania > 2012 > Vol. 53, nr 9 > 38-41
Source
Abstract
Identifiers
journal ISSN : | 0033-2089 |
journal e-ISSN : | 2449-9528 |
Authors
Keywords
Additional information
Publisher
Fields of science
Bibliography
-
[1] Taube A., M. Sochacki, J. Szmidt: Symulacje i modelowanie tranzystorów HEMT AlGaN/GaN - część I. Materiały Konferencyjne XI Krajowej Konferencji Elektroniki, Darłówko Wschodnie 2012.
-
[2] Lanford W. B., Tanaka T., Otoki Y., Adesida I.: Recessed-gate enhancement-mode GaN HEMT with high threshold voltage. Electronics Letters, vol. 41, no. 7, pp. 449-450, 31 March 2005.
-
[3] Faqir M., Verzellesi G., Chini A., Fantini F., Danesin F., Meneghesso G., Zanoni E., Dua C.: Mechanisms of RF Current Collapse in AlGaN-GaN High Electron Mobility Transistors. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, vol. 8, no. 2, pp. 240-247, June 2008.