Wpływ materiału bramki, metody wytwarzania SiO₂ i efektu krawędzi bramki na rozkłady gęstości pułapek powierzchniowych w kondensatorach MOS na 3C-SiC
Influence of gate material, SiO₂ fabrication method and gate edge effect on interface trap density distributions in 3C-SiC MOS capacitors