Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Two unique gate oxide failure mechanisms are associated with deep trench processes for a 0.18 µm power semiconductor device. One failure mode is a “mini-LOCOS” defect, that is due to inadvertent oxidation of Si in the active area during deep trench oxidation. The other failure mode is due to slip associated with dislocations from the deep trenches. These defects are eliminated by optimizing the SiN...
Two unique gate oxide failure mechanisms are associated with deep trench processes for a 0.18 μm power semiconductor device. One failure mode is a “mini-LOCOS” defect, that is due to inadvertent oxidation of Si in the active area during deep trench oxidation. The other failure mode is due to slip associated with dislocations from the deep trenches. These defects are eliminated by optimizing the SiN...
This paper reports on the technology and design aspects of an industrial DHEMT process for 650V rated GaN-on-Si power devices, using an in-situ MOCVD grown SiN as surface passivation and gate dielectric, with low interface state density and excellent TDDB. Optimization of the GaN epi stack results in very low off-state leakage (<10nA/mm). Due to the reduction of buffer trapping, low dynamic Ron...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.