Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The atomic layer deposition (ALD) of ultrathin and continuous metal films is very challenging. This paper describes a general procedure that can yield an ultrathin and continuous metal ALD film using a W ALD adhesion layer.
The demonstration of direct bandgap alloy semiconductor (GaAsP) visible (red) emitters by Nick Holonyak at General Electric in 1962 began the evolution of high-brightness LED technology. Today, high-brightness LEDs are a growing $12 billion business with applications which include traffic signals, automobiles, camera flash, display backlighting, and general illumination. This paper will discuss the...
This study reports a new thermal management scheme for vertical Gallium Nitride (GaN) nanowire (NW) arrays. A new cooling design for vertical NWs is developed by encapsulating NWs with electroplated copper. Numerical simulations show that the thermal performance of NW array could be significantly enhanced when encapsulated with high thermal conductivity materials. We have also developed a tip temperature...
In this paper a relatively simple, CMOS compatible, top-down nano-fabrication process used in the fabrication of 3-terminal NEMS switches is introduced. The process is low-temperature, using atomic layer deposition tungsten (WALD) deposited at 120??C as the structural material. In addition, the unique use of electron beam lithography in conjunction with reactive ion etching (RIE) and lift-off techniques...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.