Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Multiple gate field-effect transistors (MuGFET) are generally used in modern time semiconductor field due to better transistor current flow. However in the last advanced generation, MuGFET has transferred to Fin Field Effect Transistor (FinFET) structure with 3 dimensional (3-D) geometry to enable the minimize off-state leakage currents, high transistor current flow and quick switch…etc. advantages...
Compound semiconductors such as In0.7Ga0.3As and InSb are being actively researched as replacement for silicon channel materials for logic applications due to their superior transport properties [1,2]. Planar III–V quantum-well FETs have already demonstrated with superior performance than the state-of-the art Si MOSFETs for low supply voltage (Vcc) applications [1–3]. A key research challenge remains...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.