Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Ga(NAsP) multi quantum well heterostructures were grown pseudomorphically on exactly oriented (001) silicon substrates without the formation of misfit dislocations. Optical pumped lasing operation was observed at temperatures up to 125 K.
Ultrafast carrier dynamics of Ge/SiGe quantum wells grown on a Si substrate are investigated using pump-probe spectroscopy. Optical gain and population inversion are obtained on a femtosecond time scale. A microscopic theory supports the results.
Ultrafast carrier relaxation of Ge/SiGe quantum wells grown on a Si substrate are investigated using pump-probe spectroscopy. A nonthermal carrier distribution is observed. The corresponding inter- and intra-valley scattering times are deduced.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.