Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Design-manufacturing co-optimization has been earmarked as a key enabler of future technology scaling. Current manufacturing methods treat all transistors equally irrespective of their criticality in the design flow. In the presence of variations in the lithographic process, this leads to timing violations which reduces chip yield. In this paper, we develop a timing-driven process window optical proximity...
In this paper a high frequency low voltage low power tunable highly linear transconductor is presented. Shift level biasing is used at the inputs of both the amplifiers of a cross coupled differential pair for tuning. Bias currents of cross coupled differential amplifiers are adjusted to cancel third harmonic distortion. The proposed circuit is simulated in Cadence VIRTUOSO environment with UMC 0...
This paper presents design of an 8-bit 1.8 V segmented current steering (CS) digital-to-analog converter (DAC) using 0.18 mum double poly five metal CMOS technology. The DAC has been segmented as 6+2 to achieve optimum performance for minimum area. The simulation result shows a maximum DNL of 0.30 LSB and an INL of 0.33 LSB. The midcode glitch is 0.27 pV s. The simulated SNDR and SFDR of the segmented...
Conventional optical proximity correction (OPC) tools aim to minimize edge placement errors (EPE) due to the optical and resist process by moving mask edges. However, in low-k1 lithography, especially at 45 nm and beyond, printing perfect polygons is practically impossible to achieve. In addition, prohibitively high mask complexity is incurred, leading to high mask cost. Given the impossibility of...
This article proposes and demonstrates a technique of protein-mediated assembly of nanocrystal floating gate in a vertical flash memory cell. The gate-all-around (GAA) vertical design can enable the theoretical minimum cell size of 4F2, where F is the minimum lithographic pitch, along with a lithography-independent channel length (Pein et al., 1993), thus helping circumvent the scaling density limitations...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.